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IRFB17N20DPBF	HEXFETPowerMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFB17N20D	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.17ohm,Id=16A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFB17N20D	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.17Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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IRFB17N20DPBF产品属性

类型
描述
型号
IRFB17N20DPBF
制造商
International Rectifier
功能描述
MOSFET N 200V 16A TO-220

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更新时间：2024-6-5 22:30:00

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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
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