型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel40-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectification •POL,IBC -SecondarySide

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GENERALFEATURES ©Vos=40Vo=15A| Rosco

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

TECHPUBLIC

PEconverter

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FESTOFesto Corporation.

费斯托

FESTO

SINGLE-CHIP8-BITCMOSMICROCOMPUTER

文件:678.89 Kbytes Page:47 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

8-BITSINGLE-CHIPMICROCOMPUTER740FAMILY/7470SERIES

文件:4.90022 Mbytes Page:361 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

8-BITSINGLE-CHIPMICROCOMPUTER740FAMILY/7470SERIES

文件:4.45554 Mbytes Page:354 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

Ultra-LowCapacitanceESDProtectionDiodes

文件:70.83 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

IRF7471TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7471TR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-7-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
3650
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IR
20+
SOP-8
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IR
24+
SOP
30617
一级代理全新原装热卖
IR
23+
12+
70208
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IR
11+
SO-8
2
IR
2020+
SOP8
2500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IR
23+
SOP8
30000
代理全新原装现货,价格优势
IR
2223+
SO-8
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
IR
24+
N/A
8000
全新原装正品,现货销售
IR
24+
SOP-8
500643
免费送样原盒原包现货一手渠道联系

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