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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PowerMOSFET 文件：249.24 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   | |
DualHighSpeed,ImplantedBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD644isapairofmatchedhighspeedmonolithicFETinputoperationalamplifiersfabricatedwiththemostadvancedbipolar,JFETandlaser-trimmingtechnologies.TheAD644offersmatchedbiascurrentsthataresignificantlylowerthancurrentlyavailablemonolithicdualB | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
DualHighSpeed,ImplantedBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD644isapairofmatchedhighspeedmonolithicFETinputoperationalamplifiersfabricatedwiththemostadvancedbipolar,JFETandlaser-trimmingtechnologies.TheAD644offersmatchedbiascurrentsthataresignificantlylowerthancurrentlyavailablemonolithicdualB | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | | |
600Hand600NHseries 文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | | |
MountingbracketsrequiredtomeetUL/CSAexternalmountingrequirements. 文件：1.06838 Mbytes Page：4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | | | |
MountingbracketsrequiredtomeetUL/CSAexternalmountingrequirements. 文件：1.06838 Mbytes Page：4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | | |
IRF644STRR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF644STRR
- 功能描述
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1746+ |
TO220 |
8862 |
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intersil |
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TO-220 |
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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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isc |
2024 |
TO-220 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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TO-TO-220 |
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
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VISHAY/威世 |
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TO-220 |
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HAR |
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IRF644STRR规格书下载地址
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2019-3-25
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