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IRF644N	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know	IRF	IRF
IRF644N	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NL	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know	IRF	IRF
IRF644NS	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A) Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know	IRF	IRF
IRF644NL	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NL	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：280.08 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRF644NLPBF	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NPBF	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NPBF	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：280.08 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRF644NS	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NS	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：280.08 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRF644NSPBF	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NSTRL	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NSTRLPBF	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NSTRR	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF644NSTRRPBF	Power MOSFET 文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
AD644	Dual High Speed, Implanted BiFET Op Amp PRODUCT DESCRIPTION The AD644 is a pair of matched high speed monolithic FET input operational amplifiers fabricated with the most advanced bipolar, JFET and laser-trimming technologies. The AD644 offers matched bias currents that are significantly lower than currently available monolithic dual B	AD 亚德诺	AD
AD644	Dual High Speed, Implanted BiFET Op Amp PRODUCT DESCRIPTION The AD644 is a pair of matched high speed monolithic FET input operational amplifiers fabricated with the most advanced bipolar, JFET and laser-trimming technologies. The AD644 offers matched bias currents that are significantly lower than currently available monolithic dual B	AD 亚德诺	AD
644H	600H and 600NH series 文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
A644PHC	Mounting brackets required to meet UL/CSA external mounting requirements. 文件：1.06838 Mbytes Page：4 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
A644PHCW	Mounting brackets required to meet UL/CSA external mounting requirements. 文件：1.06838 Mbytes Page：4 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

IRF644N产品属性

类型
描述
型号
IRF644N
功能描述
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2025-8-17 20:27:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF644N	IR	24+	NA/	1196	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IRF644NS	IR	24+	TO-263	501316	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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