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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF644N

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know

IRF

IRF644N

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB

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IRF644N

Power MOSFET

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IRF644NL

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know

IRF

IRF644NS

Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know

IRF

IRF644NL

HEXFET짰 Power MOSFET

文件：280.08 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRF644NL

Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF644NLPBF

Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

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IRF644NLPBF

MOSFET N-CH 250V 14A TO-262

VISHAYVishay Siliconix

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IRF644NPBF

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB

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IRF644NPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

IRF644NPBF

Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRF644NS

Power MOSFET

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IRF644NS

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

IRF644NSPBF

Power MOSFET

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IRF644NSTRL

Power MOSFET

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IRF644NSTRLPBF

Power MOSFET

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IRF644NSTRR

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IRF644NSTRRPBF

Power MOSFET

文件：171.5 Kbytes Page：8 Pages

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MRF644

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Specified 12.5 Volt, 470 MHz Characteristics — Output Power = 25 Watts Minimum Gain = 6.2 dB Efficie

MOTOROLA

摩托罗拉

MI-PC644-IX

Military DC-DC Power Supplies

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VICOR

MI-PC644-IY

Military DC-DC Power Supplies

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VICOR

MI-PC644-MY

Military DC-DC Power Supplies

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VICOR

MI-QC644-ISY

Military DC-DC Power Supplies

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VICOR

IRF644N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF644N

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 250V 14 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRF644N供应商更多...

更新时间：2026-8-4 20:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市赛美科科技有限公司
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