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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF644B | 250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | |
IRF644B | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.84 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
IRF644B | 分立式 MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MOSFET 250V Single | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Specified 12.5 Volt, 470 MHz Characteristics — Output Power = 25 Watts Minimum Gain = 6.2 dB Efficie | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Military DC-DC Power Supplies 文件：150.47 Kbytes Page：4 Pages | VICOR | | ||
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IRF644B产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF644B
- 功能描述
MOSFET 250V Single
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-220 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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FSC |
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TO-220 |
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IRF644B规格书下载地址
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2019-3-25
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