| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRF644A | Advanced Power MOSFET FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS= 250V ♦ Lower RDS(ON): 0.214Ω(Typ.) | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | |
IRF644A | SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | |
IRF644A | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.84 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor . . . designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz. • Specified 12.5 Volt, 470 MHz Characteristics — Output Power = 25 Watts Minimum Gain = 6.2 dB Efficie | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Military DC-DC Power Supplies 文件：150.47 Kbytes Page：4 Pages | VICOR | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-220 |
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2023+ |
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原装现货 |
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T0-220 |
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FSC |
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2019-3-25
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