N-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low Rds(on) • Improved Inductive ruggedness • Excellent high voltage stability • Fast switching times • Rugged polysillcon gate cell structure • Low Input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability • TO-3 package (High voltage)

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

FEATURES: • Fast switching times • Low RDS(on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Excellent high voltage stability • Low input capacitance • Improved high temperature reliability APPLICATIONS: • Switching power supplies • Motor controls • Audio Amplifiers • Invert

N-CHANNE POWER MOSFETS

FEATURES • Low Rds(on) ) at high voltage • Improved Inductive ruggedness • Excellent high voltage stability • Fast switching times • Rugged polysillcon gate cell structure • Low Input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability • TO-3 package (High v

N-CHANNEL POWER MOSFETS

FEATURES • Low Rds(on) ) at high voltage • Improved Inductive ruggedness • Excellent high voltage stability • Fast switching times • Rugged polysillcon gate cell structure • Low Input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability • TO-3 package (High v

Nanosecond Switching Speed

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N-CHANNEL POWER MOSFETS

Trans MOSFET 150V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3

GABINETE S ALMENDRA 143x83x38mm CON PORTAPILA 9V CON UNA CARA LISA

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GABINETE S GRIS 143x83x38mm CON PORTAPILA 9V CON UNA CARA LISA

Descripción Es un gabinete electrónico de escritorio, fabricado en dos piezas con plástico ABS.Tiene en su interior un compartimiento donde se puede colocar una batería de 9V. Aplicaciones Este gabinete puede ser utilizado para guardar componentes electrónicos,proteger diseños de PCB o para e

Premier Supplier of Electronic Hardware

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Long life, 9mm diameter, composition element, variable resistor

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Axial Lead & Cartridge Fuses

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