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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRDC3870	USER GUIDE FOR IRDC3870 EVALUATION BOARD 文件：2.02556 Mbytes Page：17 Pages	IRF	IRF
IRDC3870	包装：盒描述：BOARD EVAL REG SUPIRBUCK DC/DC 开发板，套件，编程器评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS	Infineon 英飞凌	Infineon
IRDC3870	USER GUIDE FOR IRDC3870 EVALUATION BOARD	Infineon 英飞凌	Infineon
AOC3870C	12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description • Trench Power MOSFET technology • Ultra low RSS(ON) • With ESD protection to improve battery performance and safety • Common drain configuration for design simplicity • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications Battery protection switch Mobile device battery charging	AOSMD 万国半导体	AOSMD
BA3870	BBS (bass boost system) for radio cassette players The BA3870 is a bass boost audio IC for radio cassette players. BBS adjusts the base boost to a level appropriate for the volume, achieving a rich sound without distortion. Frequency characteristics can be set externally, enabling system design to meet the needs of the application. Features	ROHM 罗姆	ROHM
3870	Locking Releasable Wire Clips 文件：107.18 Kbytes Page：1 Pages	Heyco	Heyco
AOC3870	12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET 文件：438.21 Kbytes Page：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOC3870A	12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET 文件：413.16 Kbytes Page：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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更新时间：2025-11-20 16:12:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海鑫科润电子科技有限公司	IRDC388-MG	JAECS	06+	SOP/18	11999	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	IRDC388-MG	JAECS	2025+	SOP-18	3550	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	IRDC388-MG	JAECS	24+	NA/	5999	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRDC3870	Infineon Technologies	23+	原装	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8