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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
357	7/8 diameter single turn FEATURES • 7/8 diameter single turn • Compact size, advanced design technology • Offer a cost effective solution to your potentiometer requirements • Suitable model for all industrial applications • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
357	(22.2 mm) Conductive Plastic Potentiometer, Bushing Mount Type FEATURES • 7/8 diameter single turn • Compact size, advanced design technology • Offer a cost effective solution to your potentiometer requirements • Suitable model for all industrial applications • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
357	5x7mm Low Cost Surface Mount VCXO ♦ Frequency Stability to ±20 PPM ♦ +3.3Vdc or +5.0Vdc Operation ♦ HCMOS Output ♦ Operating Temperature to –40°C to +85°C ♦ Output Enable Standard ♦ Tape & Reel Packaging ♦ Pb Free	CTS 西迪斯	CTS
357	Silver Oxide Batteries 文件：73.69 Kbytes Page：1 Pages	ENERGIZER 劲量	ENERGIZER
357	3M??Power Clamp Branch Connector 文件：902 Kbytes Page：3 Pages	3M	3M

IRDC357供应商更多...

更新时间：2025-12-11 8:31:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华顺阳科技有限公司	357401310	MOLEX	25+	N/A	358000	现货库存,全网低价。	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	3570.1301.051	GUNTHER	24+	NA/	14	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市赛美科科技有限公司	357-0-0-1P22-102	VISHAY		DIP	3500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	357-002(LH531A)	REYENCE	25+	SOIC-287.2mm	65428	百分百原装现货实单必成	询价
深圳市振宏微科技有限公司	3570.1321.051	GNTHER	23+	NA	276	专做原装正品,假一罚百!	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	357401310	MOLEX	25+	SMD	518000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8