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IRD3913

20 AND 30 AMP FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

Description This range of fast recovery diodes is designed for applications in DC power supplies, inverters, choppers, ultrasonic system and for use as a free-wheeling diode. Features ■ Short reverse recovery time ■ Low stored charge ■ Wide current range ■ Excellent surge capabilities ■ Stu

IRF

IRD3913

Rectifiers Fast Recovery

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

IRD3913

Diode Switching 400V 30A 2-Pin DO-5

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Negative Voltage Hot Swap Power Manager

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TI

德州仪器

NEGATIVE VOLTAGE HOT SWAP POWER MANAGER

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TI

德州仪器

NEGATIVE VOLTAGE HOT SWAP POWER MANAGER

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TI

德州仪器

NEGATIVE VOLTAGE HOT SWAP POWER MANAGER

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TI

德州仪器

IRD3913产品属性

  • 类型

    描述

  • Peak Reverse Repetitive Voltage:

    400V

  • Peak Reverse Recovery Time:

    360ns

  • Peak Reverse Current:

    80uA

  • Peak Non-Repetitive Surge Current:

    355A

  • Peak Forward Voltage:

    1.8V

  • Operating Junction Temperature:

    -40 to 125°C

  • Minimum Operating Temperature:

    -40°C

  • Maximum Operating Temperature:

    125°C

  • Maximum Continuous Forward Current:

    30A

  • Configuration:

    Single

更新时间:2026-5-14 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
MODULE
420
主打螺丝模块系列
IR
23+
MODULE
7300
专注配单,只做原装进口现货
IR
23+
MODULE
7000
IR
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
IR
22+
MODULE
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
IR
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Infineon
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
INFINEON
25+
模具
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

IRD3913数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
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    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8