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IRD3912	20AND30AMPFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Description ThisrangeoffastrecoverydiodesisdesignedforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,choppers,ultrasonicsystemandforuseasafree-wheelingdiode. Features ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■Stu	IRF International Rectifier
IRD3912	RectifiersFastRecovery 文件：89.22 Kbytes Page：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
IRD3912	封装/外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱包装：管件描述：DIODE GEN PURP 300V 30A DO203AB 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	ETC 知名厂家	ETC
ASCELL3912	ISM868MHz,433MHzand315MHzFSKTransmitter Description TheASCell3912isalowpower,tripleISMband(868/433/315MHz),singlechannelFSKreceiverdesignedtoworkinaremotecontrollinktogetherwiththeSC3911transmittersystemcell. TheASCell3912performspacketorienteddatatransmission,inasinglemessage-orcontinu	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司
FDS3912	100VDualN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelMOSFETshavebeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRD	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
B3912	SAWfilterAutomotivetelematics 文件：72.09 Kbytes Page：8 Pages	EPCOSepcos 爱普科斯
DM3912P	MAGNETICPOWDERCORES 文件：35.7387 Mbytes Page：42 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
FTK3912F	30VN-ChannelMOSFETs 文件：930.97 Kbytes Page：5 Pages	FS First Silicon Co., Ltd

IRD3912产品属性

类型
描述
型号
IRD3912
功能描述
整流器 300 Volt 30 Amp
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
反向电压
100 V
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A 反向电流
IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
DO-221AC
封装
Reel

IRD3912供应商更多...

更新时间：2025-5-30 16:10:00

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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
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IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8

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