型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Axial General Purpose Plastic Rectifier

FEATURES · Low coat construction · Low forward voltage drop · Low reverse leakage · High forward surge current capability · High temperature soldering guaranteed: 260℃/10 secods/.375”(9.5mm)lead length at 5 lbs(2.3kg) tension

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Glass Passivated Fast Recovery Rectifier

Voltage Range 50 to 1000 V Current 8.0 Ampere Features * Low forward voltage drop * Fast switching for high efficiency * High current capability * High surge current capability * Low reverse leakage current

COMCHIP

典琦

Glass Passivated Fast Recovery Rectifier

Voltage Range 50 to 1000 V Current 8.0 Ampere Features * Low forward voltage drop * Fast switching for high efficiency * High current capability * High surge current capability * Low reverse leakage current

COMCHIP

典琦

Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier

文件:817.34 Kbytes Page:2 Pages

YENYO

元耀科技

Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier

文件:48.09 Kbytes Page:2 Pages

COMCHIP

典琦

更新时间:2025-12-12 20:05:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MCC
20+
HSMC
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
XX
24+
SOT23-5
990000
明嘉莱只做原装正品现货
XX
25+23+
SOT23-5
41590
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
SUNMATE(森美特)
2019+ROHS
DO-214AB(SMC)
66688
森美特高品质产品原装正品免费送样
MCC
HSMC
89000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
罗兰/FERRAZ
23+
888
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
MCC
24+
HSMC
89000
原装现货假一赔十
MCC
16+
HSMC
89000
鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!
MCC
23+
HSMC
7300
专注配单,只做原装进口现货
MCC/美微科
2019+PB
HSMC
89000
全新-特价大量供货房间

IRCSS8A01数据表相关新闻

  • IRF1404PBF

    进口代理

    2025-4-2
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IRF1404ZPBF

    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

    2020-4-18
  • IRA-S210ST01

    IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-2-17
  • IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF

    2020-1-12
  • IR51H224-自激式半桥

    特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包(HD型) ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8