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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
FR8A01F-G	Glass Passivated Fast Recovery Rectifier Voltage Range 50 to 1000 V Current 8.0 Ampere Features * Low forward voltage drop * Fast switching for high efficiency * High current capability * High surge current capability * Low reverse leakage current	COMCHIP 典琦	COMCHIP
TPC8A01	FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE Q1:TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE(U－ MOSⅢ ) Q2:TOSHIBA INCLUDES SCHOTTKY BARRIER DIODE FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE(U－ MOSⅢ ) DC-DC CONVERTER Notebook PC Portable Machines and Tools • Includes Schottky Barrier Diode Type. (Q2) Low Forward	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
UF8A01F-G	Glass Passivated Ultra Fast Recovery Rectifier Features ◆ Low forward voltage drop ◆ Fast switching for high efficiency ◆ High current capability ◆ High surge current capability ◆ Low reverse leakage current	COMCHIP 典琦	COMCHIP
SF8A01F	Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier 文件：48.09 Kbytes Page：2 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
SF8A01-G	Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier 文件：48.08 Kbytes Page：2 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP

IRCSS8A01供应商更多...

更新时间：2026-5-25 9:40:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富芯乐电子科技有限公司	FR801	DIODES	24+	TO-220-2	5000	只做原装正品现货欢迎来电查询15919825718	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	FR801	Diodes Incorporated	25+	TO-220AC	6895	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FR801	Diodes Incorporated	25+	TO-220AC	6843	样件支持,可原厂排单订货!	询价
深圳市天芯威科技有限公司	FR8001SPCTR	FITIPOWER	24+	SOP8	8000	新到现货，只做全新原装正品	询价
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深圳市芯为科技有限公司	FR801	Diodes	25+	电联咨询	7800	公司现货,提供拆样技术支持	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	FR8001SPCTR	FITIPOWER/天钰	2450+	SOP8	6540	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司	FR8003A		26+	N/A	70000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-18
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8