位置:首页 > IC中文资料第6970页 > IRAE900
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRAE900 | PYROELECTRICINFRAREDSENSORSIRASERIES 文件:57.47 Kbytes Page:1 Pages | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 | ||
LEDlamps 文件:1.47223 Mbytes Page:3 Pages | VCC Visual Communications Company | |||
3M??RepulpableDouble-CoatedSplicingTape900 文件:138.48 Kbytes Page:6 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 | |||
M12?륚DieCastPassiveI/OBox 文件:160.82 Kbytes Page:3 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
SUB-MINIATURESMTPUSHBUTTONSWITCHES 文件:172.28 Kbytes Page:2 Pages | E-SWITCH E-Switch, Inc. | |||
DETECTORSWITCHES-SUB-MINIATURESMT 文件:153.57 Kbytes Page:1 Pages | E-SWITCH E-Switch, Inc. |
IRAE900产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRAE900
- 制造商
MURATA
- 制造商全称
Murata Manufacturing Co., Ltd.
- 功能描述
PYROELECTRIC INFRARED SENSORS IRA SERIES
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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MURATA/村田 |
21+ROHS |
DIP-4 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
23+ |
模块 |
46976 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
||||
IR |
23+ |
MODULE |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
1923+ |
ZIP |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
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Infineon Technologies |
21+ |
PowerDI5060-8 |
21000 |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
|||
IR |
23+ |
MODULE |
1570 |
原装正品,价格优势 |
|||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
IR |
22+ |
mokuai |
8000 |
原装正品支持实单 |
IRAE900规格书下载地址
IRAE900参数引脚图相关
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- IRC530
- IRC503
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- IRC1802
- IRC150
- IRC120
- IRC100
- IRC1_11
- IRB80
- IRB60
- IRB120
- IRB0910
- IRB0608
- IRB0507
- IRB0406
- IRAM136-3063B
- IRAM136-3023B
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- IRAM136-1061A
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2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRF1404ZPBF
深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
2020-4-18IRA-S210ST01
IRA-S210ST01,全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF
IRF130CHP1100,IRF1310N,IRF1310NL,IRF1310NS,IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包(HD型)·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使
2013-2-8
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