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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRF841	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Lower RDS(ON) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operation area • Improved high temperature reliability	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF841	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MID-A841	PIN PHOTODIODE Description Large area planar silicon photodiode mounted on a two lead PC board substrate. A clear molded lens is used to increase sensitivity. Low junction capacitance permits fast response time. Features • High photo sensitivity • Low junction capacitance • High cut-off frequency • Fast sw	UOT 东贝光电	UOT
MID-A841G	PIN PHOTODIODE Description Large area planar silicon photodiode mounted on a two lead PC board substrate. A clear molded lens is used to increase sensitivity. Low junction capacitance permits fast response time. Features • High photo sensitivity • Low junction capacitance • High cut-off frequency • Fast sw	UOT 东贝光电	UOT
TM841M-L	TO-220 8A Triac 文件：58.07 Kbytes Page：2 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN

IR841供应商更多...

更新时间：2026-5-23 23:02:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	IRF841	HARR	95+	TO220	11	只售原装正品	询价
标准国际(香港)有限公司	IRF841	IRF841	25+	31	31		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IRF841	sam	2023+	原厂封装	50000	原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF841S	IR	23+	TO-263	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRF841S	IR	23+	TO-263	7000		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF841FI	IR	17+	TO-220	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	IRF841	sam	24+	N/A	6980	原装现货,可开13%税票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRF841PBF	PHI	23+	SOP3.9MM	40000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IRF841		26+	N/A	62000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	IRF841LCL	IR	23+24	TO-262	59630	主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管	询价

IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2
IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8