| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DeviceBus®, 2 Pr #1518 Str TC, PVC-NYL FEP Ins, ISOA TC Brd, PVC Jkt, 600V TC-ER Product Description DeviceBus® for ODVA DeviceNet™, 2 Pair 15+18AWG (19x27+19x30) Tinned Copper, PVC-NYL + FEP Insulation, Individual Beldfoil® & OA Tinned Copper Braid(65) Shield, PVC Outer Jacket, 600V TC-ER | BELDEN 百通 |   | ||
140V, Low IQ, Synchronous Buck Controller with Programmable 5V to 10V Gate Drive FEATURES Wide VIN Range: 4V to 135V (140V ABS MAX) Wide Output Voltage Range: 0.8V ≤ VOUT ≤ 135V (140V ABS MAX) Adjustable Gate Drive Level: 5V to 10V (OPTI-DRIVE, 15V ABS MAX) Adjustable Driver Voltage UVLO Adaptive or Resistor Adjustable Dead Times Split-Output Gate Drivers f | AD 亚德诺 | | ||
DISPLAY CONTROLLERS / DRIVERS 文件：232.7 Kbytes Page：4 Pages | NSC 国半 | | ||
DISPLAY CONTROLLERS / DRIVERS 文件：232.7 Kbytes Page：4 Pages | NSC 国半 | | ||
Wide Input and Output Voltage Synchronous Buck Controller 文件：658.34 Kbytes Page：9 Pages | AD 亚德诺 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Eagle |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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LITHIUM |
24+ |
NA/ |
15 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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LINEAR/凌特 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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LINEAR |
25+ |
DIP-8 |
4500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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LINEAR/凌特 |
21+ |
DIP8 |
1709 |
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LT |
25+ |
22 |
公司优势库存 热卖中!! |
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LT/凌特 |
19+ |
DIP |
15000 |
长期代理优势供应LT凌特 可开增票 |
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LITHIUM |
2450+ |
DIP |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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LITHIUM |
25+23+ |
DIP4 |
36055 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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LINAER |
22+ |
SOP |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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IRF1404PBF
进口代理
2025-4-2IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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