位置：首页 > IC中文资料第12837页 > IR506
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(5.0A,600-1000V)
| MOSPEC 统懋 |   | ||
Numeric Display Numeric Display 14.4 mm (.6”) Series | PANASONIC 松下 | | ||
Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers .. . PNPN devices designed for high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control; process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. • Passivated Surface for Reliability and Uniformity | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Silicon Rectifier Diode Description The NTE506 is a silicon rectifier diode is an axial lead package designed for fast recovery, damper and blanking applications. | NTE | | ||
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(5.0A,20-60V)
| MOSPEC 统懋 | |
IR506产品属性
- 类型
描述
- 功能描述：
TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
国产 |
25+23+ |
16776 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
||||
YJ |
19+ |
10000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
||||
GM |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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HYGROUP台产 |
24+ |
DO-27 |
50000 |
||||
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
DO-201AD |
66688 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
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MIC |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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HB |
23+ |
DO201AD |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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HB |
23+ |
DO201AD |
56000 |
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国产 |
25 |
原装现货特价销售 |
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扬杰 |
25+ |
DO-201AD |
10000 |
扬杰原厂一级代理商,价格优势! |
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IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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