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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IR42-21C-TR8	1.8mmRoundSubminiatureInfraredLED Descriptions ․IR42-21C/TR8isaninfraredemittingdiodeinminiatureSMDpackagewhichismoldedinawaterclearplasticwithsphericaltopviewlens. ․Thedeviceisspectrallymatchedwithsiliconphotodiodeandphototransistor. Features ․Compatiblewithinfraredandvaporphase	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司
IR42-21C-TR8_15	1.8mmRoundSubminiatureInfraredLED 文件：219.09 Kbytes Page：9 Pages	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司
PD42-21C-TR8	1.8mmRoundSubminiatureSilicinPINPhotodiode 文件：162.22 Kbytes Page：10 Pages	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司

IR42-21C-TR8供应商更多...

更新时间：2025-8-4 9:49:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	IR422D4	IR	23+	SMD-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市华来深电子有限公司	IR4234	IR	23+	QFN	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市英科美电子有限公司	IR4227	INFINEON/英飞凌	2223+		26800	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IR423C/L10	EVERLIGHT/亿光	23+	NA	16000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	IR425	IR	23+		65480		询价
深圳市中联芯电子有限公司	IR4253D	INFINEON/英飞凌	24+	QFN5x6mm	8500	原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IR423C/L10		24+	N/A	73000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IR4227	IR	23+	TO263	7000		询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	IR423C/L10	EVERLIGHT(台湾亿光)	2021+	Through Hole	1614		询价
京海半导体(深圳)有限公司	IR422D4	IR	21+	SMD-8	10000	原装现货假一罚十	询价

IR3889MTRPBF
TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8