| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD4189 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Features VDS (V) = -40V ID = -40A (VGS = - | AOSMD 万国半导体 |   | ||
P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Package with low thermal resistance • 100 Rg and UIS tested | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Lockit™ Loops and Clips 文件：112.75 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 | | ||
Lockit Loops and Clips 文件：112.74 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 | | ||
The STEVAL-CCA049V1 is a demonstration board designed for the evaluation 文件：2.97755 Mbytes Page：23 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-11-13IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
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2020-1-12IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动 说明 该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8
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