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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -53A, RDS(ON) = 9 m W @VGS = -10V. RDS(ON) = 12m W @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

更新时间:2025-8-7 23:00:01
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