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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
PTVSHC3N12VU	1-Line High Power TVS Diode Features 5400W peak pulse power (8/20 Low leakage: nA level Low operating voltage: 12V Ultra low clamping voltage One power line protects Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 80A (5/50ns)	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
TPTVSHC3N12VU	1-Line High Power TVS Diode Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 12V Low clamping voltage Complies with following standards: — \|EC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +30kV Contact discharge: +30kV —IEC61000-4-5 (Lightning) 200A (8/20us) RoHS Compliant	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

IR3N12A供应商更多...

更新时间：2025-8-7 23:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	PTVSHC3N12VU	PRISEMI	24+	NA/	3410	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	PTVSHC3N12VU	PRISEMI	24+	DFN22-3	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	PTVSHC3N12VU	原装	20+	原装	56200	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	PTVSHC3N12VU	PRISEMI	1822+	DFN22-3L	6852	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
深圳市威雅利发展有限公司	PTVSHC3N12VU	PRISEMI	17+	DFN22-3L	61000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	PTVSHC3N12VU	PRISEMI	20+	DFN2×2-3L	20000	原装正品价格优惠,志同道合共谋发展	询价
深圳兆威电子有限公司	PTVSHC3N12VU	PRISEMI	23+	DFN22-3L	999999	原装正品现货量大可订货	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	PTVSHC3N12VU	Bychip/百域芯	21+	DFN2020-3L	30000	优势供应品质保障可开13点发票	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	PTVSHC3N12VU	PRISEMI	25+	DFN22-3L	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市润联芯城科技有限公司	PTVSHC3N12VU	PRISEMI	23+	DFN2X2-3L	50000	原装正品支持实单	询价

IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8