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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
EL3H4	4 PIN SSOP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER AC INPUT PHOTOCOUPLER 文件：861.71 Kbytes Page：11 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight
EL3H4(A)(EA)-VG	4 PIN SOP PHOTOTRANSISTOR 文件：453.27 Kbytes Page：11 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight
EL3H4(A)(EC)-VG	4 PIN SOP PHOTOTRANSISTOR 文件：453.27 Kbytes Page：11 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight
EL3H4(A)(TA)-VG	4 PIN SOP PHOTOTRANSISTOR 文件：453.27 Kbytes Page：11 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight
EL3H4(A)(TB)-VG	4 PIN SOP PHOTOTRANSISTOR 文件：453.27 Kbytes Page：11 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight

IR3H4供应商更多...

更新时间：2025-8-7 23:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIGHT(亿光)	24+	SSOP4	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIG	25+	SSOP4	45000	原装正品,假一罚十!	询价
深圳市威雅利发展有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIGHT特价	21+	SOP-4	51000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市华康联电子科技有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIGHT	23+	SOP	20000		询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIGHT/亿光	21+	SOP-4	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIGHT	25+	SOP-4	6000	全新原装现货、诚信经营!	询价
深圳市中联芯电子有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIGHT/亿光	24+	SOP-4	40000	只做原装有挂有货假一赔十	询价
深圳市中邦力信电子科技有限公司	EL3H4(B)(TA)-VG	亿光	23+	SOP 4	50000	原装**现货现货	询价
深圳市富达微科技有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIGHT	24+	SOP	8000	原装，正品	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	EL3H4(A)(TB)-VG	EVERLIGHT	23+	SOP	50000	正规渠道,只有原装!	询价

IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8