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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
HN3C14	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS ● Including Two Devices in US6 (Ultra Super Mini Type with 6 Leads)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN3C14FU	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS ● Including Two Devices in US6 (Ultra Super Mini Type with 6 Leads)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SMA3C14	3W 14V Zener diode 文件：322.975 Kbytes Page：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
EC3C14	15 WATT WIDE INPUT DC-DC CONVERTERS 文件：773.25 Kbytes Page：1 Pages	RSGRSG Electronic Components GmbH RSG电子元件有限公司	RSG
SMA3C14	SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES 文件：320.87 Kbytes Page：2 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE

IR3C14N供应商更多...

更新时间：2025-8-8 18:00:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能元时代电子有限公司	HN3C51F	TOS	23+	SC74-6	51301	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	HN3C51F-GR	TOSHIBA	25+	SOT23-6	3200	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HN3C51F-GR	TOSHIBA	23+	SOT23-6	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	HN3C51F-GR	TOSHIBA/东芝	2450+	SOT23-6163	6540	只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!	询价
深圳兆威电子有限公司	HN3C51F	TOSHIBA	23+	SC-74	63000	原装正品现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	HN3G01J,MMSZ51,24U02	SOT-153	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HN3C56FU	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-363	93000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市英科美电子有限公司	HN3C56FU	AUK	2223+	SOT-363	26800	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险	询价
深圳市胜彬电子有限公司	HN3C51F	TOSHIBA	22+	SC-74	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市一线半导体有限公司	HN3G01J	TOSHIBA	24+	SOT-153SOT-23-5	12200	新进库存/原装	询价

IR3889MTRPBF
The IR3889 OptiMOSTM系列IPOL 是一款易于使用、完全集成的 DC-DC 降压稳压器。IR3889 具有板载 PWM 控制器和集成自举二极管的 OptiMOS™ MOSFET 是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IRA-S210ST01
IRA-S210ST01，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-17
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
IRF130CHP1100，IRF1310N，IRF1310NL，IRF1310NS，IRF1404PBF
2020-1-12
IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR51H224-自激式半桥
特点 ·输出功率MOSFET在半桥配置 ·高侧栅极驱动器引导操作设计 ·自举二极管集成包（HD型） ·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us ·内部振荡器具有可编程的频率 ·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰 ·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8