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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
IR3863MPBF	6AHIGHLYINTEGRATEDWIDE-INPUTVOLTAGE,SYNCHRONOUSBUCKREGULATOR 文件：1.33196 Mbytes Page：21 Pages	IRF International Rectifier
B3863	SAWComponentsLow-LossFilter72,9746MHz Features ■Low-lossIFfilterforCDMAbasestation ■Temperaturestable ■CeramicSMDpackage ■Unbalancedorbalancedoperation	EPCOSepcos 爱普科斯
EFA3863X	SINGLECOLORLED SINGLECOLORLED D_3803X/F_3863XSeries HIGHBRIGHNESSCOLOR	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.
3863	TripleMountingBaseForStandardBindingPost 文件：24.31 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics
3863X	Lead?밼reesolderingcompatible 文件：1.47679 Mbytes Page：18 Pages	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.
3863X	SUPERBRIGHTLED 文件：88.76 Kbytes Page：7 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商

IR3863MPBF供应商更多...

更新时间：2025-7-28 10:03:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昊创电子有限公司	IR3863MTR1PBF	Infineon/英飞凌	19+		68000	原装正品价格优势	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IR3863MTR1PBF	Infineon Technologies	24+	17-PowerQFN(4x5)	65200	一级代理/放心采购	询价
惠芯易购（深圳）科技有限公司	IR3863MTR1PBF	Internationa	25+	17-PowerQFN4x5	4258	原装正品价格优势	询价
深圳市睿芯铭科技有限公司	IR3863MTR1PBF	Infineon(英飞凌)	21+	PQFN24	378	原装现货,假一罚十	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	IR3863MTR1PBF	IR	1923+	QFN45	5000	正品原装品质假一赔十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IR3863MTRPBF	IOR	25+23+	QFN	34443	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IR3863MTR1PBF	INFINEON/英飞凌	23+	PQFN24	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市凌旭科技有限公司	IR3863MTR1PBF	IR	2016+	PQFN24	9000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	IR3863MTR1PBF	Infineon Technologies	24+	原装	5000	原装正品,提供BOM配单服务	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IR3863MTR1PBF	Infineon Technologies	22+	17PowerQFN (4x5)	9000	原厂渠道,现货配单	询价

IR3823AMTRPBF降压稳压器
IR3823AMTRPBF降压稳压器
2024-1-16
IR3889MTRPBF
TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制
2023-11-13
IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2022-2-7
IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR3570BMTRPBF原装进口现货假一罚十
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IR51H224-自激式半桥
特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包（HD型）·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50％的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H（四）XXX是完整的高电压，高转速，selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，随着的HEXFET®功率MOSFET技术，使
2013-2-8