型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR3856WMTR1PBF

HIGHLYEFFICIENTINTEGRATED6A,SYNCHRONOUSBUCKREGULATOR

文件:1.02235 Mbytes Page:34 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IR3856WMTR1PBF

封装/外壳:17-PowerVQFN 功能:降压 包装:卷带(TR) 描述:IC REG BUCK ADJUSTABLE 6A 17PQFN 集成电路(IC) 稳压器 - DC-DC 开关稳压器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IR3856WMTR1PBF

封装/外壳:17-PowerVQFN 功能:降压 包装:卷带(TR) 描述:IC REG BUCK ADJUSTABLE 6A 17PQFN 集成电路(IC) DC DC 开关稳压器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IR3856WMTR1PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR3856WMTR1PBF

  • 功能描述

    直流/直流开关调节器 6A SupIRBuck Reg 750kHz, 1.5-16V in

  • RoHS

  • 制造商

    International Rectifier

  • 最大输入电压

    21 V

  • 开关频率

    1.5 MHz

  • 输出电压

    0.5 V to 0.86 V

  • 输出电流

    4 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PQFN 4 x 5

更新时间:2024-6-15 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
11+
QFN
739
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
QFN-17
9328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IR
17+
QFN24
6200
100%原装正品现货
Infineon Technologies
22+
17PQFN (4x5)
9000
原厂渠道,现货配单
International Rectifier
22+
NA
500000
万三科技,秉承原装,购芯无忧
Infineon Technologies
24+
17-PowerVQFN
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
IR
23+
QFN24
8000
只做原装现货
Infineon
22+
17-PowerVQFN
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
17-PQFN4x5
7300
专注配单,只做原装进口现货
IR
1923+
QFN24
5000
正品原装品质假一赔十

IR3856WMTR1PBF芯片相关品牌

  • BANNER
  • CHEMI-CON
  • CTMICRO
  • JUXING
  • LINER
  • MCC
  • Microchip
  • MINMAX
  • NEL
  • ROHM
  • SANYO
  • SEOUL

IR3856WMTR1PBF数据表相关新闻

  • IR3823AMTRPBF降压稳压器

    IR3823AMTRPBF降压稳压器

    2024-1-16
  • IR3889MTRPBF

    TheIR3889OptiMOSTM系列IPOL是一款易于使用、完全集成的DC-DC降压稳压器。IR3889具有板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™MOSFET是一种小尺寸解决方案,可提供高效的电力传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制

    2023-11-13
  • IR3899MTRPBF 原装正品.仓库现货

    华富芯深圳智能科技有限公司

    2022-2-7
  • IR3840MTRPBF正品原装品质假一赔十

    瀚佳科技: 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。

    2018-12-28
  • IR3570BMTRPBF原装进口现货假一罚十

    瀚佳科技: 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。

    2018-12-28
  • IR51H224-自激式半桥

    特点·输出功率MOSFET在半桥配置·高侧栅极驱动器引导操作设计·自举二极管集成包(HD型)·精确的定时控制两个功率MOSFET匹配延迟获得50%的占空比匹配死区的1.2us·内部振荡器具有可编程的频率·15.6V齐纳钳位VCC的离线运行的半桥式输出是用RT淘汰·微功率启动说明该IR51H(四)XXX是完整的高电压,高转速,selfoscillating半桥电路.专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,随着的HEXFET®功率MOSFET技术,使

    2013-2-8