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IR2E05	LEDforBarGraphicDisplay 文件：81.96 Kbytes Page：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
GP2E05	Manualmotorcontroller,EasyTeSysGP2E,3P,0.63-1A,thermalmagnetictrip,screwclampterminals Main RangeEasyTeSys ProductNameEasyTeSysGP2E ProductOrComponentTypeMotorcontroller DeviceShortNameGP2E DeviceApplicationMotor TripUnitTechnologyThermal-magnetic	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气
HN2E05J	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2E05UM	V-EA-Series-UL508ManualMotorController 文件：595.13 Kbytes Page：2 Pages	ALTECH Altech Corporation
GP2E05	Manualmotorcontroller,EasyTeSys,3P,0.63-1A,thermalmagnetic,screwclampterminals 文件：118.48 Kbytes Page：2 Pages	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气
HN2E05J	MULTICHIPDISCRETEDEVICESuperHighSpeedSwitchingApplication 文件：250.85 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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更新时间：2024-6-15 15:54:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市得捷芯城科技有限公司	IR2E12	SHARP/夏普	23+	NA/	490	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IR2E12	SHARP/夏普	1948+	DIP-16	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市诺美思科技有限公司	IR2E16其他被动元件	SHARP/夏普	22+/23+	DIP	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IR2E19	SHARP	23+	DIP16	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IR2E19	SHARP/夏普		DIP-16	265209	假一罚十原包原标签常备现货!	询价
深圳市胜彬电子有限公司	IR2E16	SHARP	22+	DIP-22	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IR2E12	SHARP/夏普	23+	DIP-16	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IR2E12	SHARP/夏普	23+	DIP-16	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	IR2E11	SHARP		DIP-16	25		询价

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2020-7-9
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
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IR3220-全面保护的H四C.马达桥式
特点•过温关断•过电流关断•浪涌电流的软启动过程有限•E.S.D保护•状态反馈•睡眠模式直接连接电池•制动/非制动运行IR3220表初步数据No.PD60180-B的说明红外3220是一个全面保护的双高端开关IC有两个额外的低边开关（如IRF7474-可用01/01），红外3220驱动器和控制整个H桥拓扑。它提供直通每个腿，H保护桥梁逻辑控制，软启动序列和过电流/
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IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9
IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9

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