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IR2301S价格

参考价格：￥8.0765

型号：IR2301SPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IR2301S多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2301S批发/采购报价，IR2301S行情走势销售排行榜，IR2301S报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IR2301S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2301(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS

IRF

IR2301S

600 V high-side and low-side gate driver IC

600 V High and Low Side Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 5 to 20 V\n• Undervoltage lockout for both channels\n• 3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible\n• Matched propagation delay for;

INFINEON

英飞凌

IR2301S

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

文件：193.49 Kbytes Page：18 Pages

INFINEON

英飞凌

IR2301SPbF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2301(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS

IRF

IR2301STR

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

IR2301STRPBF

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

NTE2301

Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output

Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin

NTE

CNB2301

Reflective Photosensor

文件：49.97 Kbytes Page：2 Pages

PANASONIC

松下

LMX2301

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

LMX2301TMX

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages

NSC

国半

TLE2301INE

EXCALIBUR 3-STATE-OUTPUT WIDE-BANDWIDTH POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件：324.91 Kbytes Page：22 Pages

TI

德州仪器

IR2301S产品属性

  • 类型

    描述

  • Product Status：

    active/active

  • Voltage Class：

    600 V

  • Output Current Source min：

    0.12 A

  • Output Current Source：

    0.2 A

  • Output Current Sink min：

    0.25 A

  • Output Current Sink：

    0.35 A

  • Channels：

    2

  • Configuration：

    High-side and low-side

  • Qualification：

    Industrial

  • Isolation Type：

    Functional levelshift

  • Switch Type：

    MOSFET

  • Package name：

    SOIC 8N/SOIC 8N

  • UVLO Input Off：

    3.8 V

  • UVLO Output Off：

    3.8 V

  • Turn On Propagation Delay max：

    300 ns

  • Turn On Propagation Delay：

    220 ns

  • Turn Off Propagation Delay max：

    280 ns

  • Turn Off Propagation Delay：

    200 ns

  • Input Vcc min：

    5 V

  • Input Vcc max：

    20 V

  • Output Vbs min：

    5 V

  • Output Vbs max：

    20 V

  • Rise Time max：

    220 ns

  • Rise Time：

    130 ns

  • Fall Time max：

    80 ns

  • Fall Time：

    50 ns

  • UVLO Input On：

    4.1 V

  • UVLO Output On：

    4.1 V

IR2301S供应商更多...

更新时间：2026-8-2 19:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市富利微电子科技有限公司
IR2301STRPBF
IR
26+
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深圳市得捷芯城科技有限公司
IR2301STRPBF
Infineon(英飞凌)
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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IR2301STRPBF
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深圳市讯顺达科技有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
IR2301STRPBF
INFINEON/英飞凌
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深圳市龙瀚电子有限公司
IR2301STRPBF
IR
16+
SOP-8
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    特点 •浮动通道设计为引导操作 充分运作，以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅 说

    2013-2-9

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