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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR2301STRPBF | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | Infineon 英飞凌 | ||
Vibrating level switch The device Type 8110 is a filling level switch for liquids, using a tuning fork as the sensor element. It is designed for industrial use in all areas of process technology and can be used in liquids. Typical applications are overflow or run-dry protection. The small tuning fork (40 mm in lengt | BURKERT 宝帝流体控制系统 | |||
1.5 Watt - 20 Volts, Class C Microwave 2300 MHz GENERAL DESCRIPTION The 2301 is a COMMON BASE transistor capable of providing 1.5 Watts Class C, RF output power at 2300 MHz. Gold metalization and diffused ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness. The transistor uses a fully hermetic High Temperature Solder Sealed | GHZTECH | |||
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件:5.03147 Mbytes Page:5 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | |||
10V P-Channel Enhanced MOS FET 文件:171.02 Kbytes Page:3 Pages | FUMAN 富满微 | |||
-2.8A竊?20V P-CHANNEL MOSFET 文件:111.41 Kbytes Page:4 Pages | KIA 可易亚半导体 |
IR2301STRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2301STRPBF
- 功能描述
功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Soft Trn On NonInvrt Inpt
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/INFINEON |
24+ |
SOP-8 |
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只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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IR(国际整流器) |
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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IR |
24+ |
SOP-8 |
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保证进口原装现货假一赔十 |
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INFINEON |
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SOP8 |
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全新原装现货、诚信经营! |
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IR |
25+ |
SOP-8 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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INFINEON |
21+ |
SOP-8 |
10000 |
全新原装公司现货
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INFINEON/英飞凌 |
2025+ |
SOP |
5000 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP8 |
10048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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IR |
25+ |
SOP-8 |
35596 |
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|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOP8 |
9000 |
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IR2301STRPBF规格书下载地址
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说明 在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点 •浮动通道设计为引导操作 充分运作,以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅 说
2013-2-9
DdatasheetPDF页码索引
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