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IR2301STRPBF	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：管件描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	INFINEON 英飞凌	INFINEON
NTE2301	Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin	NTE	NTE
CNB2301	Reflective Photosensor 文件：49.97 Kbytes Page：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
LMX2301	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2301TMX	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	NSC 国半	NSC
TLE2301INE	EXCALIBUR 3-STATE-OUTPUT WIDE-BANDWIDTH POWER OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：324.91 Kbytes Page：22 Pages	TI 德州仪器	TI

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更新时间：2026-8-1 15:40:00

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IR2184STRPBF 栅极驱动器
IR2184STRPBF
2024-11-20
IR2184STRPBF原厂原标，现货
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2024-8-1
IR2E34代理渠道，进口原装
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2020-11-9
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
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2020-1-10
IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定
2013-2-9
IR2233-3相桥驱动器
特点 •浮动通道设计为引导操作充分运作，以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅说
2013-2-9