IR2235J价格

参考价格:¥109.1475

型号:IR2235JPBF 品牌:IR 备注:这里有IR2235J多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2235J批发/采购报价,IR2235J行情走势销售排行榜,IR2235J报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IR2235J

3-PHASEBRIDGEDRIVER

Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsare

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IR2235J

3-PHASEBRIDGEDRIVER

Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsarecom

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IR2235J

封装/外壳:44-LCC(J形引线),32 引线 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

3-PHASEBRIDGEDRIVER

Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsare

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

封装/外壳:44-LCC(J形引线),32 引线 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC 集成电路(IC) 栅极驱动器

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

TRANSISTOR(AUDIOPOWER,DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

AudioPowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Complementaryto2SA965.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

POTTEDRIVETNUT

文件:155.55 Kbytes Page:1 Pages

WITTEN

Witten Company, Inc.

WITTEN

AN-2235CircuitBoardDesignforLMH6517/21/22andOtherHigh-SpeedIF/RFFeedbackAmplifiers

文件:3.21476 Mbytes Page:6 Pages

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

High-SpeedSmallCurrentSensor

文件:774.14 Kbytes Page:16 Pages

AKMAKM Semiconductor Inc.

旭化成微电子旭化成微电子株式会社

AKM

ELECTROLYTIC-85째C

文件:271.86 Kbytes Page:3 Pages

DUBILIERDUBILIER

DUBILIER

DUBILIER

IR2235J产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2235J

  • 功能描述

    IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 44-PLCC

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    50

  • 系列

    -

  • 配置

    低端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    40ns 电流 -

  • 9A

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大(自引导启动)

    -

  • 电源电压

    4.5 V ~ 35 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA

  • 供应商设备封装

    TO-263

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-15 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2020+
PLCC
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
23+
PLCC44
18000
IR
2016+
PLCC44
6528
房间原装进口现货假一赔十
IR/INFINEON
22+21+
PLCC
19603
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
IR
22+
PLCC
3200
绝对进口原装现货
Infineon Technologies
21+
44PLCC 32 Leads
13880
公司只售原装,支持实单
IR
23+
原厂封装
9896
IOR
2020+
PLCC
350000
100%进口原装正品公司现货库存
IR
22+
PLCC-4
6980
原装现货,可开13%税票
IOR
22+
PLCC
5000
只做原装,假一赔十 15118075546

IR2235J芯片相关品牌

  • AVAGO
  • DAESAN
  • HONEYWELL-ACC
  • HUBERSUHNER
  • IXYS
  • LITEON
  • Micron
  • MMD
  • NJSEMI
  • ROSENBERGER
  • Vicor
  • WALL

IR2235J数据表相关新闻

  • IR2E34代理渠道 ,进口原装

    IR2E34 代理渠道,进口原装

    2020-11-9
  • IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF

    IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF

    2020-1-10
  • IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-5-6
  • IR2302-高端和低端驱动器

    说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定

    2013-2-9
  • IR2233-3相桥驱动器

    特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说

    2013-2-9
  • IR21834-半桥驱动器

    说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠

    2013-2-9