| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
highCurrentToroidInductors [J.W.Miller] | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  |   | |
FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] THREADEDSTANDOFFS | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | | |
FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] THREADEDSTANDOFFS | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | | | |
2and4-portRS-232USB-to-serialconverters 文件：841.87 Kbytes Page：4 Pages | moxa 台湾摩莎 |  | | |
SKOTCHTM2200,2210VINYLMASTICPADSANDROLLS 文件：460.48 Kbytes Page：2 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Goldtron |
23+ |
SSOP |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
MT |
23+ |
QFN |
20000 |
原厂原装正品现货 |
|||
Rose Bopla |
20+ |
N/A |
78 |
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|||
MT |
20+ |
QFN |
11520 |
特价全新原装公司现货 |
|||
GOLDTRON |
18+ |
QFP80 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
|||
ALTECHCORP |
23+ |
NA |
256 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
AMPHENOI |
22+ |
SMD |
130 |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
Goldtron |
1997 |
SSOP |
594 |
||||
Altech Corporation |
2308+ |
122592 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
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IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT（BB）、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS
2021-12-22IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
2020-1-10IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
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2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
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