| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR21O1S | IR21O1S |   |
更新时间：2025-8-5 22:50:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
23+ |
SOP-8 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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IOR |
2016+ |
DIP14 |
6528 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
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IOR |
2025+ |
TO263-5 |
3645 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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IR |
23+ |
DIP14 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IOR |
23+ |
SOP16 |
33537 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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IR |
24+ |
TO263-5 |
430 |
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IR |
23+ |
DIP-14 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IR |
24+ |
DIP |
2560 |
绝对原装!现货热卖! |
|||
IR |
23+ |
SOP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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IR21O1S规格书下载地址
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2019-5-6IR2233-3相桥驱动器
特点 •浮动通道设计为引导操作 充分运作，以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅 说
2013-2-9IR2302-高端和低端驱动器
说明 在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定
2013-2-9
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