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2193	CustomerSpecification Construction 1)Conductor a)Material SilverPlatedCopper,perASTMB-298andCID-A-A- 59569 b)StrandingSolid c)Diameter0.005 2)BraidData a)NominalID7/64(0.109) b)AWGofEnds36 c)NumberofCarriers24 d)NominalPercentCoverage90 e)TotalNumberofEnds96 f)Approx.Eq	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
CHA2193	20-30GHzLowNoiseAmplifier Description TheCHA2193isathreestageslownoiseamplifier.Itisdesignedforawiderangeofapplications,frommilitarytocommercialcommunicationsystems.ThebacksideofthechipisbothRFandDCgrounds.Thishelpssimplifytheassemblyprocess. Thecircuitismanufacturedwitha	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
ATSAM2193	SoundSynthesis 文件：130.86 Kbytes Page：14 Pages	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
ATSAM2193-G	SoundSynthesis 文件：130.86 Kbytes Page：14 Pages	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
CA-2193	Cable,P7tostripped/tinnedends,6feet24AWGzipcord 文件：100.6 Kbytes Page：2 Pages	TENSILITY Tensility International Corp

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更新时间：2024-4-23 17:53:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博浩通科技有限公司	CHA2194-99F/00	UMS	23+	QFN	62	全新原装优势	询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	CHA2193	UMS	2018+	SMD	1680	UMS专营进口原装现货假一赔十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CHA2193-99F	UMS	21+ROHS	die	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市惊羽科技有限公司	CHA2193-99F	UMS	24+25+/26+27+	车规-射频微波	18800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
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2021-12-22
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
2020-1-10
IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6
IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9
IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9
IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9

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