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Precision Operational Amplifier, 25 V Offset, Zero-Drift, 36 V Supply, 2 MHz

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ONSEMI

安森美半导体

Precision Operational Amplifier, 25 V Offset, Zero-Drift, 36 V Supply, 2 MHz

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ONSEMI

安森美半导体

Fast Switching Thyristor

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Dynex

更新时间:2025-8-7 22:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2016+
QFN
18000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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DFN
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
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24+/25+
800
原装正品现货库存价优
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1836+
UDFN-6
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
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24+
SOIC-14
25000
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25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ON
22+
NA
2350
原装正品支持实单
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

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    特点 •浮动通道设计为引导操作 充分运作,以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅 说

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    说明 在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定

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