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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-14 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinaHalfBridgeConfiguation -OutputDriversCapableof4.5A/4.5ATyp.Sink/Source -LogicInput(HINandLIN)3.3VCapability -SchmittTriggeredLogicInputswithInternalPullDown | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 |  |   | |
HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-14 文件：729.09 Kbytes Page：11 Pages | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES美台 |
23+ |
SO-14 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
|||
DIODES(美台) |
23+ |
SO14 |
6000 |
||||
DIODES/美台 |
21+ |
SO-14 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
DIODES(美台) |
23+ |
SOP14 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
Diodes Incorporated |
21+ |
14-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
12000 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
|||
DIODES/美台 |
23+ |
SO-14 |
25630 |
原装正品 |
|||
DIODES/美台 |
21+ |
SO-14 |
10000 |
原装,品质保证,请来电咨询 |
|||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
DIODES(美台) |
2021+ |
SO-14 |
2549 |
||||
DIODES |
22+ |
NA |
12080 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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2021-12-22IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
2020-1-10IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9
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