型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SMThalfpitchDIPswitch-Autoplaceable 文件:101.77 Kbytes Page:2 Pages | CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司 | |||
SMTHalfPitchDIPSwitch-AutoPlaceable 文件:763.67 Kbytes Page:2 Pages | CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司 | |||
Mini7/8Female5PinFieldAttachable 文件:168.42 Kbytes Page:2 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
3M??Scotch짰FineLineTape218 文件:559.41 Kbytes Page:5 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 | |||
DirectreplacementforE26(NorthAmericanStandard) 文件:231.29 Kbytes Page:4 Pages | MARL Marl International Ltd |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原厂 |
2016+ |
SOP20 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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CTS |
22+ |
SOP-4 |
9850 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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WAGOCORPORATION |
21+ |
NA |
700 |
只做原装,假一罚十 |
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REGAL BELOIT CORPORATION |
22+ |
SMD |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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2017+ |
SOT-163 |
48520 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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THAT |
21+ |
SOP-8 |
2000 |
专业音频芯片THAT授权分销全系列产品 |
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TE |
21+ |
I/O连接器 |
898 |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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LITTELFUSE/力特 |
23+ |
NA |
30000 |
有挂就有货,只做原装免费送样,可BOM配单 |
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ATI |
22+ |
BGA |
8000 |
只做原装正品现货 |
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CTS |
19+ |
SOP20 |
12650 |
原装现货,优势库存,当天可发货 |
IR218A规格书下载地址
IR218A参数引脚图相关
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IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT(BB)、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS
2021-12-22IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF
IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF
2020-1-10IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!
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2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
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