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Floating channel designed for bootstrap operation

Features • Floating channel designed for bootstrap operation • Fully operational to +600V • Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune • Low VCC operation • Gate drive supply range from 5V to 20V • Undervoltage lockout for both channels • 3.3V and 5V input logic comp

IRF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features • Floating channel designed for bootstrap operation • Fully operational to +600V • Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune • Low VCC operation • Gate drive supply range from 5V to 20V • Undervoltage lockout for both channels • 3.3V and 5V input logic comp

IRF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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Infineon

英飞凌

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IRF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-9 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
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百分百原装正品,可原型号开票
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Infineon/英飞凌
23+
SOIC-8N
25630
原装正品
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23+
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10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业

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    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-5-6
  • IR2233-3相桥驱动器

    特点 •浮动通道设计为引导操作 充分运作,以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅 说

    2013-2-9
  • IR2302-高端和低端驱动器

    说明 在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定

    2013-2-9