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HIGHANDLOWSIDEDRIVER

Description TheIRS2186/IRS21864arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardC

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HIGHANDLOWSIDEDRIVER

Description TheIRS2186/IRS21864arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardC

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HighandLowSideDriver

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

HighandLowSideDriver

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

GenerationDIPandMini-DIP-IPM

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MitsubishiMITSUBISHI electlic

三菱电机

Mitsubishi
更新时间:2024-3-29 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEO
2020+
SOP
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
Infineon/英飞凌
21+
SOIC-14N
8800
公司只作原装正品
IR/International Rectifier/国
21+
SOP-14
274
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IR
21+
SOP-14
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
Infineon/英飞凌
23+
SOIC-14N
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon Technologies
23+
14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
26151
英飞凌电源管理芯片-原装正品
INFINEON/英飞凌
2022+
SOP14
5350
只做原装进口 免费送样
Infineon/英飞凌
23+
SOIC-14N
25630
原装正品
Infineon/英飞凌
2023+
SOIC-14N
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
IR
22+23+
SOP14
41724
绝对原装正品全新进口深圳现货

IR21864C芯片相关品牌

  • 3M
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  • IR21834S

    我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT(BB)、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS

    2021-12-22
  • IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF

    IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF

    2020-1-10
  • IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-5-6
  • IR2302-高端和低端驱动器

    说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定

    2013-2-9
  • IR2233-3相桥驱动器

    特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说

    2013-2-9
  • IR21834-半桥驱动器

    说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠

    2013-2-9