型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIRS2186/IRS21864arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardC | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIRS2186/IRS21864arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardC | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
HighandLowSideDriver 文件:1.4653 Mbytes Page:27 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
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GenerationDIPandMini-DIP-IPM 文件:645.05 Kbytes Page:2 Pages | MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEO |
2020+ |
SOP |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
SOIC-14N |
8800 |
公司只作原装正品 |
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IR/International Rectifier/国 |
21+ |
SOP-14 |
274 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IR |
21+ |
SOP-14 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
SOIC-14N |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
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Infineon Technologies |
23+ |
14-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
26151 |
英飞凌电源管理芯片-原装正品 |
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INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
SOP14 |
5350 |
只做原装进口 免费送样 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
SOIC-14N |
25630 |
原装正品 |
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Infineon/英飞凌 |
2023+ |
SOIC-14N |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
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IR |
22+23+ |
SOP14 |
41724 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
IR21864C规格书下载地址
IR21864C参数引脚图相关
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IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT(BB)、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS
2021-12-22IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF
IR2304STRPBF,IR3080MTRPBF,IR3037ATRPBF,IR2184STRPBF
2020-1-10IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
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