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DUAL HIGH SIDE DRIVER IC

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IRF

DUAL HIGH SIDE DRIVER IC

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IRF

更新时间:2025-8-8 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR(国际整流器)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
IRF
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NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
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16-SOIC
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专注配单,只做原装进口现货
Infineon/英飞凌
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68000
原装正品价格优势
IR
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
IR
21+
SOP16
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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16-SOIC3.9mm
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16-SOIC
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65200
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    特点 •浮动通道设计为引导操作 充分运作,以600 V或1200 V 耐瞬态电压负 dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和 高达25V的瞬态 •所有通道欠压锁定 •过电流关闭关闭所有六名司机 •独立的3个半桥式驱动器 •匹配的所有通道传播延迟 •兼容2.5V的逻辑 •产出与投入的逐步淘汰 •也可用无铅 说

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    说明 在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。... 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从5至20V •欠压锁定

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