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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SINGLEHIGHSIDEDRIVERIC 文件：398.01 Kbytes Page：16 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
SINGLEHIGHSIDEDRIVERIC 文件：398.01 Kbytes Page：16 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
23+ |
NA/ |
2613 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IR |
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SOP-8 |
2049 |
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IR |
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SOP8 |
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绝对有现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十! |
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IR |
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SOIC8 |
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价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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SOIC8 |
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全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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IR |
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SOP-8 |
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只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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IR |
22+ |
SOIC8 |
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IR21834S
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2021-12-22IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
IR2304STRPBF，IR3080MTRPBF，IR3037ATRPBF，IR2184STRPBF
2020-1-10IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
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2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
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