| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Gatedrivesupplyrangefrom10Vto20V Description TheIRS21850isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTsinglehigh-sidedriverwithpropagationdelaymatchedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.Thefloatinglogicinputiscompatiblewithstandard | IRF International Rectifier |  |   | |
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SINGLEHIGHSIDEDRIVERIC 文件：344.86 Kbytes Page：20 Pages | IRF International Rectifier | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
37200 |
原装现货/放心购买 |
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INFINEON |
1512+ |
SOP |
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INFINEON |
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SOP8 |
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进口原装现货,代理库存,假一罚十,价格优惠, |
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85600 |
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INFINEON |
1902+ |
SOP |
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代理品牌 |
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IR |
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Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOP |
20000 |
原装现货,实单支持 |
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ADI |
23+ |
SOP |
8000 |
只做原装现货 |
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ADI |
23+ |
SOP |
7000 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9
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