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DGD21844M	HALF-BRIDGEGATEDRIVERINSO-14 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHalfBridgeConfiguration -1.9ASource/2.3ASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -ProgrammableDeadtimetoProtectMOSFETs -WideLow-SideGa	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AUIRS21844S	HALF-BRIDGEDRIVER 文件：690.76 Kbytes Page：25 Pages	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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DGD21844M	HALF-BRIDGEGATEDRIVER 文件：637.37 Kbytes Page：12 Pages	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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更新时间：2024-4-19 23:00:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市得捷芯城科技有限公司	DGD21844S14-13	DIODES/美台	23+	NA/	18250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
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深圳市诺美思科技有限公司	DGD2184MS8-13	Diodes Incorporated	22+/23+	8-SO 类 TH	7500	原装进口公司现货假一赔百	询价
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深圳市瑞卓芯科技有限公司	DGD21844S14-13	DIODES/美台	22+	SOP14	9000	原装正品	询价
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IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT（BB）、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS
2021-12-22
IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6
IR21814STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
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2019-5-6
IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9
IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9
IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9

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