位置：首页 > IC中文资料 > IR21844507P
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR21844507P | IR21844507P |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
14DIP |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
DIP-14 |
8800 |
公司只作原装正品 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
14DIP |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
23+ |
DIP14 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
Infine |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
23+ |
DIP14 |
18000 |
|||||
IR |
1318+ |
DIP-14 |
23568 |
优势现货可17%税 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2021+ |
DIP-14 |
499 |
||||
IR |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
Infineon |
1931+ |
N/A |
1549 |
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2021-12-22IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
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2019-5-6IR21814STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
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2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9
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