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IR2183S价格
参考价格:¥10.0283
型号:IR2183SPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IR2183S多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2183S批发/采购报价,IR2183S行情走势销售排行榜,IR2183S报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IR2183S | HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2183(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSo | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
IR2183S | HALF-BRIDGEDRIVER 文件:361.81 Kbytes Page:22 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
IR2183S | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2183(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSo | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
HALF-BRIDGEDRIVER 文件:288.16 Kbytes Page:22 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | |||
HighCurrentSwitchingApplications Features -Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=−1.0V(max) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | |||
DSPMicrocomputer GENERALDESCRIPTION TheADSP-2183isasingle-chipmicrocomputeroptimizedfordigitalsignalprocessing(DSP)andotherhighspeednumericprocessingapplications. FEATURES PERFORMANCE 19nsInstructionCycleTimefrom26.32MHzCrystal@3.3Volts 52MIPSSustainedPerformance | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
WidebandAmplifier Wideband2to20GHz FlatGain,Typ.16±1dB P1dB,Typ.+19dBm OIP3,Typ.+25dBm 4x4mm20LeadQFN-StylePackage APPLICATIONS 5GMIMOandBackHaulRadioSystems SatelliteCommunications TestandMeasurementEquipment Radar,EW,andECMDefenseSystems | MINIMini-Circuits 微型电路 | |||
WidebandAmplifier Wideband,2to18GHz FlatGain16.6±0.7dBfrom2to18GHz P1dB,+19.6dBmTyp.at10GHz. OIP3,+27.4dBmTyp.at10GHz. APPLICATIONS 5GMIMOandBackHaulRadioSystems SatelliteCommunications TestandMeasurementEquipment Radar,EW,andECMDefenseSystems | MINIMini-Circuits 微型电路 | |||
4KUHDMediaCable,4Pr#23,F/UTPFlamarrest짰Jacket,CMP 文件:290.6 Kbytes Page:4 Pages | BELDEN Belden Inc. |
IR2183S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2183S
- 功能描述
IC DRIVER HALFBRIDGE 600V 8-SOIC
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
50
- 系列
-
- 配置
高端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
200ns 电流 -
- 峰
250mA
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大(自引导启动)
600V
- 电源电压
12 V ~ 20 V
- 工作温度
-40°C ~ 125°C
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
8-DIP(0.300,7.62mm)
- 供应商设备封装
8-DIP
- 包装
管件
- 其它名称
*IR2127
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOP-8 |
12000 |
勤思达 只做原装正品 现货供应 |
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Infineon英飞凌专营 |
SOP-8 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
SOP-8 |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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IR |
21+ |
SOP-8 |
19120 |
全新原装现货 |
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Infineon |
23+ |
SOP8 |
5000 |
深圳原装现货 |
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INFINEON |
2210+ |
SOP-8 |
7500 |
TI原厂货源!假一赔十! |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
SOP-8 |
13816 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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INFINEON/IR |
1907+ |
NA |
5000 |
20年老字号,原装优势长期供货 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOIC-8 |
8750 |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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INFINEON |
21+ |
SOP8 |
5000 |
全新原装正品现货支持实单 |
IR2183S规格书下载地址
IR2183S参数引脚图相关
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- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
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- IR2277S
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IR2183S数据表相关新闻
IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT(BB)、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS
2021-12-22IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6IR21814STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!
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2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9
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