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Description
The IR2183(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugge dized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.
Features
•Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
•Gate drive supply range from 10 to 20V
•Undervoltage lockout for both channels
•3.3V and 5V input logic compatible
•Matched propagation delay for both channels
•Logic and power ground +/- 5V offset.
•Lower di/dt gate driver for better noise immunity
•Output source/sink current capability 1.4A/1.8A
•Also available LEAD-FREE (PbF)
IR2183产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2183
- 功能描述
IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8-DIP
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
50
- 系列
-
- 配置
高端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
200ns 电流 -
- 峰
250mA
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大(自引导启动)
600V
- 电源电压
12 V ~ 20 V
- 工作温度
-40°C ~ 125°C
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
8-DIP(0.300,7.62mm)
- 供应商设备封装
8-DIP
- 包装
管件
- 其它名称
*IR2127
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2210+ |
SOP-8 |
7500 |
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IR |
25+ |
SOP14 |
2500 |
全新原装现货,假一赔十 |
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原厂原包 |
24+ |
原装 |
40000 |
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原厂原装 |
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INFINEON |
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DIP14 |
3081 |
进口原装现货特价销售,假一罚十 |
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IR |
05+ |
DIP-14 |
6000 |
原装正品现货 |
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INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOP-8 |
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IR |
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原厂封装 |
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Infineon |
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IR2183STRPBF 价格
参考价格:¥10.0283
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IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS. XILINX、ALTERA、NS、AD、TI LT(BB)、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIM QUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、 APS
2021-12-22IR21834-半桥驱动器
说明 在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠
2013-2-9
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- 307-050-458-258
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- ICS501-DWF
- ICS85356AGILFT
- ICS85356AGIT
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- IR2156
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