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HighCurrentSwitchingApplications

Features -Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=−1.0V(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

DSPMicrocomputer

GENERALDESCRIPTION TheADSP-2183isasingle-chipmicrocomputeroptimizedfordigitalsignalprocessing(DSP)andotherhighspeednumericprocessingapplications. FEATURES PERFORMANCE 19nsInstructionCycleTimefrom26.32MHzCrystal@3.3Volts 52MIPSSustainedPerformance

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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WidebandAmplifier

Wideband2to20GHz FlatGain,Typ.16±1dB P1dB,Typ.+19dBm OIP3,Typ.+25dBm 4x4mm20LeadQFN-StylePackage APPLICATIONS 5GMIMOandBackHaulRadioSystems SatelliteCommunications TestandMeasurementEquipment Radar,EW,andECMDefenseSystems

MINIMini-Circuits

微型电路

MINI

WidebandAmplifier

Wideband,2to18GHz FlatGain16.6±0.7dBfrom2to18GHz P1dB,+19.6dBmTyp.at10GHz. OIP3,+27.4dBmTyp.at10GHz. APPLICATIONS 5GMIMOandBackHaulRadioSystems SatelliteCommunications TestandMeasurementEquipment Radar,EW,andECMDefenseSystems

MINIMini-Circuits

微型电路

MINI

4KUHDMediaCable,4Pr#23,F/UTPFlamarrest짰Jacket,CMP

文件:290.6 Kbytes Page:4 Pages

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN
更新时间:2024-4-19 21:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IR2183S-LF芯片相关品牌

  • ALSC
  • ATS2
  • BETLUX
  • delta
  • Diotec
  • ETAL
  • LUMBERG
  • Molex
  • MOLEX11
  • ONSEMI
  • WEIDMULLER
  • YFWDIODE

IR2183S-LF数据表相关新闻

  • IR21834S

    我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT(BB)、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS

    2021-12-22
  • IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!

    瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务

    2019-5-6
  • IR21814STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!

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    2019-5-6
  • IR2302-高端和低端驱动器

    说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定

    2013-2-9
  • IR2233-3相桥驱动器

    特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说

    2013-2-9
  • IR21834-半桥驱动器

    说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠

    2013-2-9