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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HighCurrentSwitchingApplications Features -Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=−1.0V(max) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | |||
DSPMicrocomputer GENERALDESCRIPTION TheADSP-2183isasingle-chipmicrocomputeroptimizedfordigitalsignalprocessing(DSP)andotherhighspeednumericprocessingapplications. FEATURES PERFORMANCE 19nsInstructionCycleTimefrom26.32MHzCrystal@3.3Volts 52MIPSSustainedPerformance | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | |||
WidebandAmplifier Wideband2to20GHz FlatGain,Typ.16±1dB P1dB,Typ.+19dBm OIP3,Typ.+25dBm 4x4mm20LeadQFN-StylePackage APPLICATIONS 5GMIMOandBackHaulRadioSystems SatelliteCommunications TestandMeasurementEquipment Radar,EW,andECMDefenseSystems | MINIMini-Circuits 微型电路 | |||
WidebandAmplifier Wideband,2to18GHz FlatGain16.6±0.7dBfrom2to18GHz P1dB,+19.6dBmTyp.at10GHz. OIP3,+27.4dBmTyp.at10GHz. APPLICATIONS 5GMIMOandBackHaulRadioSystems SatelliteCommunications TestandMeasurementEquipment Radar,EW,andECMDefenseSystems | MINIMini-Circuits 微型电路 | |||
4KUHDMediaCable,4Pr#23,F/UTPFlamarrest짰Jacket,CMP 文件:290.6 Kbytes Page:4 Pages | BELDEN Belden Inc. |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ADI/亚德诺 |
21+ |
8888888 |
原装正品现货/订货 价格优惠可开票 |
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ADI |
专业铁帽 |
LQFP128 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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2023+ |
QFP |
53500 |
正品,原装现货 |
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TQFP |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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公司只做原装,诚信经营 |
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ADI |
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PQFP |
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绝对原装现货 |
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QFP-128 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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ADI(亚德诺) |
23+ |
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20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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QFP |
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优势库存 |
IR2183S-LF规格书下载地址
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IR21834S
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2021-12-22IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!
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2019-5-6IR21814STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货!
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2019-5-6IR2302-高端和低端驱动器
说明在IR2302(S)的高电压,高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高,低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术,使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
2013-2-9IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作,以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
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