IR2183PBF价格

参考价格:¥12.0062

型号:IR2183PBF 品牌:International 备注:这里有IR2183PBF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2183PBF批发/采购报价,IR2183PBF行情走势销售排行榜,IR2183PBF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IR2183PBF

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2183(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugge dized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS o

IRF

IR2183PBF

封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

4K UHD Media Cable, 4 Pr #23, F/UTP, PVC Jacket, CMR

Product Description 4 Pair 23 AWG Solid Bare Copper Conductors, PP Insulation, F/UTP, Helical TC Drain, Ripcord, PVC Jacket, Riser CMR-LP (0.6A)

BELDEN

百通

Snap Bushings

文件:106.76 Kbytes Page:1 Pages

Heyco

Blank SMT Storage Pages for 12 strips of 8mm Tape

文件:129.87 Kbytes Page:2 Pages

Adafruit

4K UHD Media Cable, 4 Pr #23, F/UTP Flamarrest짰 Jacket, CMP

文件:290.6 Kbytes Page:4 Pages

BELDEN

百通

boxes and ancillary products

文件:3.51246 Mbytes Page:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

IR2183PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2183PBF

  • 功能描述

    功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Soft Trn On 500ns

  • RoHS

  • 制造商

    Micrel

  • 产品

    MOSFET Gate Drivers

  • 类型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 电源电压-最大

    30 V

  • 电源电压-最小

    2.75 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-8

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-16 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
PDIP-8
7178
百分百原装正品,可原型号开票
Infineon/英飞凌
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Infineon/英飞凌
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只做原装,质量保证
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8-DIP
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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特价优势库存质量保证稳定供货
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100%原装正品现货
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23+
DIP8
5000
原装正品,假一罚十

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    我司主要从事销售ST、TOS. XILINX、ALTERA、NS、AD、TI LT(BB)、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIM QUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、 APS

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    说明 在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠

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