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IR21834STRPBF-CUTTAPE价格
参考价格：￥11.4417
型号：IR21834STRPBF-CUTTAPE 品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER 备注：这里有IR21834STRPBF-CUTTAPE多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR21834STRPBF-CUTTAPE批发/采购报价，IR21834STRPBF-CUTTAPE行情走势销售排行榜，IR21834STRPBF-CUTTAPE报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2183(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSo | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
HALF-BRIDGEDRIVER 文件：361.81 Kbytes Page：22 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
SOP14 |
12048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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23+ |
N/A |
90650 |
正品授权货源可靠 |
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IR/INFINEON |
22+21+ |
DIP-14 |
6499 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
InfineonTechnologies |
2019+ |
14-DIP |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
|||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
SOP14 |
4 |
QQ询价 绝对原装正品 |
|||
IR |
2021+ |
SO-16 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
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Infineon(英飞凌) |
22+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
2022+ |
DIP-14 |
8600 |
英瑞芯只做原装正品 |
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IR? |
2020+ |
SOP-8? |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
14DIP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
IR21834STRPBF-CUTTAPE芯片相关品牌
IR21834STRPBF-CUTTAPE规格书下载地址
IR21834STRPBF-CUTTAPE参数引脚图相关
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IR21814STRPBF
全新原装现货支持第三方机构验证
2022-8-12IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT（BB）、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS
2021-12-22IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6IR21814STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
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2019-5-6IR2233-3相桥驱动器
特点•浮动通道设计为引导操作充分运作，以600V或1200V耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10V/12V至20V直流和高达25V的瞬态•所有通道欠压锁定•过电流关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道传播延迟•兼容2.5V的逻辑•产出与投入的逐步淘汰•也可用无铅说
2013-2-9IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9
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