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IR21824

封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-10 1:37:00
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    说明 在IR2183(4)(S)的高电压,高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高,低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠

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