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位置：首页 > IC中文资料第413页 > IR2151STR

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IR2151STR

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

INFINEON

英飞凌

MPIC2151

SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER

SELF–OSCILLATING HALF–BRIDGE DRIVER TheMPIC2151 is a high voltage,high speed, self–oscillating power MOSFET andIGBT driver with bothhigh side and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologiesenable ruggedized monolith ic construction. The front–end f

MOTOROLA

摩托罗拉

STV2151

FULL AUTOMATIC MULTISTANDARD CHROMA DECODER WITH EMBEDDED CHROMA DELAY LINE

DESCRIPTION The STV2151 integrates in a single chip every circuitry to deliver the Y, R-Y, B-Y signals starting from a CVBS or Y/C signals. It can process PAL, SECAM and NTSC standards.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NJM2151A

MONAURAL POWER AMP. & HEADPHONE POWER AMP. IC

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NJRC

日本无线

NJM2151AM

MONAURAL POWER AMP. & HEADPHONE POWER AMP. IC

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NJRC

日本无线

NJM2151AV

MONAURAL POWER AMP. & HEADPHONE POWER AMP. IC

文件：132.87 Kbytes Page：9 Pages

NJRC

日本无线

IR2151STR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IR2151STR

  • 功能描述

    IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列

    -

  • 标准包装

    50

  • 系列

    -

  • 配置

    低端

  • 输入类型

    非反相

  • 延迟时间

    40ns 电流 -

  • 峰

    9A

  • 配置数

    1

  • 输出数

    1 高端电压 -

  • 最大（自引导启动）

    -

  • 电源电压

    4.5 V ~ 35 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA

  • 供应商设备封装

    TO-263

  • 包装

    管件

IR2151STR供应商更多...

更新时间：2026-5-21 15:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市胜彬电子有限公司
IR2151STRPBF
IR
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SOIC-8
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深圳市华来深电子有限公司
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深圳市腾亿芯科技有限公司
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原装
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天津市博通航睿技术有限公司
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    IR2132JPBF

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    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业为工厂一站式BOM配单服务

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    说明 该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司（J＆S）的高votage，高速功率MOSFET与三个独立的高，低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能，终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号，表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程，通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低

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  • IR2151S-半桥驱动器。劳在与RT阶段。可编程振荡频率。 1.2us死区时间在8引脚SOIC封装

    特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •欠压锁定 •可编程振荡器频率1.4（逆转录75Ω）CT检查 •匹配的两个通道传播延迟 •低侧输出在第二阶段，用RT 说明 该IR2151是一种高电压，高速度，自激功率MOSFET和IGBT驱动器，带有两 高，低侧参考输出通道。专有HVIC和免疫技术的CMOS锁存使整体加固施工。前面高端功能的可编程振荡器类似于有555定时器。输出驱动器具

    2013-2-9

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