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IR2122	CURRENTSENSINGSINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2122(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatch immuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTTLoutputs,downto3.3V.Theprotectioncircuitydetect	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2122	封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）包装：散装描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP 集成电路（IC）栅极驱动器	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2122S	CURRENTSENSINGSINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2122(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriver.ProprietaryHVICandlatch immuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTTLoutputs,downto3.3V.Theprotectioncircuitydetect	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
2122	HEXMALE/FEMALESTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2122	MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2122A	Fieldbus,12Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,600VTC-ER 文件：256.93 Kbytes Page：3 Pages	BELDEN Belden Inc.
2122E	Thru-BoltsandMountingBrackets 文件：286.71 Kbytes Page：3 Pages	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
2122-H	HighCurrentToroidInductors 文件：117.11 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）

IR2122产品属性

类型
描述
型号
IR2122
功能描述
IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP
RoHS
否
类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
50
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
40ns 电流 -
峰
9A
配置数
1
输出数
1 高端电压 -
最大（自引导启动）
-
电源电压
4.5 V ~ 35 V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA
供应商设备封装
TO-263
包装
管件

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更新时间：2024-5-10 11:36:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市英卓尔科技有限公司	IR2122S	IOR	20+	SOP-8	2960	诚信交易大量库存现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IR2122S	IR	22+	SOP8	4508	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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深圳市特顺芯科技有限公司	IR2122	IOR	99+	DIP-8P	160		询价

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瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
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IR2136-3相桥驱动器...
说明该IR2136/IR21362/IR21363/IR21365/IR21366/IR21367/IR21368公司（J＆S）的高votage，高速功率MOSFET与三个独立的高，低侧IGBT驱动器中引用3相应用程序的输出渠道。专有的HVIC技术使整体建筑加固。逻辑输入与CMOS兼容或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。一个电流脱扣功能，终止所有六个输出可从外部电流检测电阻。使能功能可终止所有六个输出同时进行。一个漏极开路的故障信号，表明提供过流或欠压关断发生。过流故障条件被清除后自动编程，通过一个外部RC网络的延迟连接到RCIN输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低
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IR2117/IR2118（S）是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。特点•浮动通道引导操作设计完全运作，以600V容限来负瞬态电压的dV/dt的免疫•门极驱动电源电压范围从10至20V•欠压锁定•CMOS施密特触发输
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