位置：首页 > IC中文资料第869页 > IR2114SSPBF
IR2114SSPBF价格
参考价格：￥24.8352
型号：IR2114SSPBF 品牌：International 备注：这里有IR2114SSPBF多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR2114SSPBF批发/采购报价，IR2114SSPBF行情走势销售排行榜，IR2114SSPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR2114SSPBF | HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC Description The IR2114/IR2214 gate driver family is suited to drive a single half bridge in power switching applications. These drivers provide high gate driving capability (2 A source, 3 A sink) and require low quiescent current, which allows the use of bootstrap power supply techniques in mediu | INFINEON 英飞凌 |   | |
IR2114SSPBF | HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC Description The IR211(4,41)/IR221(4,41) gate driver family is suited to drive a single half bridge in power switching applications. These drivers provide high gate driving capability (2 A source, 3 A sink) and require low quiescent current, which allows the use of bootstrap power supply technique | IRF | | |
IR2114SSPBF | HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC 文件：715.9 Kbytes Page：33 Pages | IRF | | |
IR2114SSPBF | 封装/外壳：24-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP 集成电路（IC） 栅极驱动器 | INFINEON 英飞凌 | | |
HALF-BRIDGE GATE DRIVER IC 文件：715.9 Kbytes Page：33 Pages | IRF | | ||
T-1 Subminiature Lamps T-1¼ Subminiature Lamps | GILWAY | | ||
Snap Bushings 文件：133.28 Kbytes Page：1 Pages | HEYCO | | ||
Universal Qi Wireless Charging Module - 20mm Reverse MicroUSB 文件：77.81 Kbytes Page：2 Pages | ADAFRUIT | | ||
Fieldbus, 16 Pr #16 Str TC, XLPO Ins, IS/OS, TPE Jkt, CMG 文件：255.92 Kbytes Page：3 Pages | BELDEN 百通 | | ||
HIGH PERFORMANCE LOW-NOISE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：257.35 Kbytes Page：5 Pages | NJRC 日本无线 | |
IR2114SSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2114SSPBF
- 功能描述
功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SSOP24 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON |
24+ |
N/A |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
SSOP-24 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
||||
IR |
21+ |
SOP |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
SSOP-24 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
IR |
22+ |
SSOP-24 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
IR |
2026+ |
SSOP |
17238 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2407+ |
IC |
30098 |
全新原装!仓库现货,大胆开价! |
|||
INFENION |
23+ |
SSOP24 |
3000 |
原装渠道现货库存价格优势 |
IR2114SSPBF规格书下载地址
IR2114SSPBF参数引脚图相关
- kt250
- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- irf630
- irf540n
- irf540
- IR2130S
- IR2130JPBF
- IR2130J
- IR2130D
- IR2130
- IR213
- IR2128SPBF
- IR2128S
- IR2128PBF
- IR2128
- IR2127STRPBF
- IR2127SPBF
- IR2127S
- IR2127PBF
- IR21271STRPBF
- IR21271SPBF
- IR21271PBF
- IR21271
- IR2127
- IR2125Z
- IR2125STRPBF
- IR2125SPBF
- IR2125S
- IR2125PBF
- IR2125
- IR2122S
- IR2122
- IR2121PBF
- IR2121
- IR2118STRPBF
- IR2118SPBF
- IR2118S
- IR2118PBF
- IR2118
- IR2117STRPBF
- IR2117SPBF
- IR2117S
- IR2117PBF
- IR2117
- IR21141SSPBF
- IR2113STRPBF-CUTTAPE
- IR2113STRPBF
- IR2113SPBF
- IR2113S
- IR2113PBF
- IR2113
- IR2112STRPBF
- IR2112SPBF
- IR2112S
- IR2112PBF
- IR2112
- IR2111STRPBF
- IR2111SPBF
- IR2111S
- IR2111PBF
- IR2111
- IR2110STRPBF
- IR2110SPBF
- IR2110SHR
- IR2110S
- IR2110PBF
- IR2110L4
- IR2110L
- IR2110
- IR211
- IR2109STRPBF
- IR2109SPBF
- IR2109S
- IR2109PBF
- IR21094
- IR21091
- IR2109
- IR2108S
- IR21084
- IR2108
- IR21074
- IR2107
- IR2106S
IR2114SSPBF数据表相关新闻
IR2118STRPBF
IR2118STRPBF
2023-7-27IR2110STRPBF
IR2110STRPBF
2023-4-14IR2112S，高端IC，军工电子元器件，高压二极管，航空继电器，找兴中扬电子科技
IR2112S，高端IC，军工电子元器件，高压二极管，航空继电器，找兴中扬电子科技
2019-12-2IR2111
IR2111，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-21IR2127S原装正品现货
瀚佳科技： 专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28IR2117-单通道驱动器
IR2117/IR2118（S）是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容与标准CMOS输出。输出驱动器的功能专为高脉冲电流缓冲级最低跨导。浮动通道可以可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高或低侧配置经营至600伏特。 特点 •浮动通道引导操作设计完全运作，以600 V容限来负瞬态电压的dV / dt的免疫 •门极驱动电源电压范围从10至20V •欠压锁定 •CMOS施密特触发输
2012-11-13
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
- P108
